$491\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.710\, V$ છે. જ્યારે આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને નવી કિંમત કરવામાં આવે છે, ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.43\, V$ થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ ....... $nm$ છે.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈના મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બીજા કિસ્સાની તુલનામાં એક-તૃતીયાંશ હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે? ($c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

એક ધાતુની સપાટી પર ક્રમશઃ ધાતુના વર્ક ફંક્શન કરતાં બમણી અને પાંચ ગણી ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન આપાત થાય છે. બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E_{k})$ નો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથેનો ફેરફાર નીચેનામાંથી કયો આલેખ યોગ્ય રીતે દર્શાવે છે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $(\lambda/3)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $4$ ગણી હોય, તો પદાર્થની સપાટીનું કાર્યવિધેય (work function) શોધો ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશની ઝડપ).

થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે જેથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન સમાન વેગથી ગતિ કરે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ: